[정보] 최희철 교수팀, 탄소나노튜브와 고체 표면간 화학반응 발견

이미지 출처 : http://www.nature.com/nnano/index.html

 수록 저널 정보
* 포항공대 도서관 비구독 저널입니다.

[#M_홍보팀 배포자료 보기|less..|포스텍(포항공과대학교) 홍보팀 ☎ (054) 279-2412, 2414

              ‘반도체기판에 10나노미터 이하로 에칭할 수 있다’

        포스텍 최희철 교수팀, 탄소나노튜브와 고체 표면간 화학반응 발견
   ‘네이처 나노테크놀로지’에 발표…극소형 반도체 제작에 상당한 진전 기대

 10나노미터 이하 크기로 식각(蝕刻-에칭)할 수 있고, 나노구조체를 만드는데 적용시킬
수 있는 탄소나노튜브와 고체 표면간의 화학반응이 포스텍 연구진에 의해 밝혀졌다.
 이 연구결과에 따라 극소형 반도체 제작의 핵심기술인 반도체 기판의 나노급(1나노미터
는 10억분의 1미터) 회로 패턴을 구현하는데 큰 진전이 있을 것으로 기대된다.

 포스텍 화학과 최희철(崔喜哲·36세) 교수 연구팀(제1저자 박사과정 변혜령·28세)은,
‘꿈의 신소재’라 불리는 탄소나노튜브가 화학증기증착법을 통해 합성될 때 소량의 산
소를 주입시키면, 탄소나노튜브와 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 산화물 표면이 열
화학반응을 일으키면서 실리콘 산화물이 식각된다는 사실을 세계 최초로 발견했다.
 또한 이 현상을 응용해 직경 4나노미터급의 나노금속선 합성과 실리콘을 10나노미터 이
하 크기로 식각하는데 성공했다.

 이 연구결과는 네이처 자매지인 ‘네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology)' 온
라인판에 2월 18일자로 게재됐다.

 최첨단의 극소형 반도체를 제작하기 위해서는 기판 표면에 회로패턴을 형성하기 위한 식
각을 최대한 미세한 크기로 하여야 하는데, 현재 사용되고 있는 광전사 또는 전자빔을 이
용한 방법으로는 10나노미터 이하로 식각하는 것이 거의 불가능했었다.

 하지만 최 교수팀이 발견한 이 화학반응을 이용하면 식각되는 산화물의 넓이, 방향, 길이
등의 구조적 특성이 탄소나노튜브에 의해 직접적으로 제어되기 때문에, 탄소나노튜브 형성
기술에 따라 반도체 제조공정기술 발전에 큰 영향을 주는 것은 물론, 극소형 반도체 제작에
필요한 나노공정기술 개발에 활력을 불어넣을 것으로 보인다. (끝)
_M#]